Tiếp tục rò rỉ hiệu năng Qualcomm Snapdragon 835

(PCWorldVN) Kết quả benchmark dùng Geekbench lần này cho thấy hiệu năng đơn nhân của mẫu SoC Snapdragon 835 mạnh hơn người anh em Snapdragon 820.

Qualcomm Snapdragon 835 hiện được kỳ vọng sẽ là linh hồn của mẫu smartphone cao cấp Galaxy S8 mà Samsung sắp ra mắt. Tính đến thời điểm này, có thể nói đa phần người dùng và giới công nghệ không còn quá đặt nặng vào hiệu năng của một mẫu SoC thế hệ mới nào đó nữa. Thay vào đó, những yếu tố như thời gian dùng pin và độ nóng khi vận hành của bộ xử lý mới chính là điều nhận được nhiều sự quan tâm.

Chính vì điều này mà những điểm số ngất ngưởng về hiệu năng bộ xử lý có lẽ cũng đã không còn quá quan trọng và được xem như là một yếu tố quyết định thành bại của smartphone nữa. Tuy vậy, một bộ phận người đam mê công nghệ vẫn cần những điểm số này và may mắn là theo cập nhật mới nhất, mẫu SoC hàng khủng Qualcomm Snapdragon 835 (MSM8998) cũng đã có kết quả kết quả hiệu năng đo bằng Geekbench.

Được biết, mẫu smartphone được dùng để đo hiệu năng của mẫu SoC Snapdragon 835 trang bị RAM 4GB và cũng chạy Android Nougat. Kết quả hiệu năng cho thấy mẫu SoC thế hệ mới của Qualcomm cũng cho điểm số đơn nhân cao hơn so với mẫu SoC Snapdragon 820 trang bị cho chiếc Galaxy S7. Theo giới quan sát, cách biệt điểm số trong phép thử đơn nhân giữa Qualcomm Snapdragon 835 1,9GHz (2.004 điểm) với Qualcomm Snapdragon 820 1,6GHz (1.785 điểm) tuy không cho thấy sự vượt trội, nhưng xét trên mức xung nhịp, cách biệt điểm số này nhìn chung khá ổn.

Như vậy, theo giới quan sát, có thể kỳ vọng mẫu smartphone cao cấp Samsung Galaxy S8 với nội lực từ mẫu SoC Qualcomm Snapdragon 835 sẽ không hề thua thiệt đàn anh Galaxy S7 về độ mượt mà trong trải nghiệm người dùng. Tuy nhiên, những kết quả benchmark này hiện cũng chỉ mang tính chất tham khảo vì như đã đề cập, trải nghiệm về thời gian dùng pin và khả năng tản nhiệt khi máy khi vận hành hết công suất vẫn là những yếu tố không kém phần quan trọng.