Samsung giới thiệu SSD dùng chip V-NAND 3D thế hệ mới

Dòng SSD mới của Samsung sử dụng công nghệ chip Vertical-NAND 3D thế hệ thứ hai với băng thông nhanh và lớn hơn, đồng thời giảm lượng điện năng tiêu thụ.

850 Pro là dòng SSD (ổ thể rắn) thế hệ mới được Samsung áp dụng công nghệ chip nhớ Vertical-NAND 3D với kỹ thuật xếp chồng đến 32 lớp tế bào ô nhớ và chia sẻ kết nối liên tuyến theo phương dọc trong không gian 3 chiều mang lại băng thông nhanh và lớn hơn, phù hợp với nhu cầu người dùng cần hiệu năng cao.

Công nghệ V-NAND là bước đột phá trong việc khắc phục giới hạn dung lượng thường gặp ở cấu trúc flash NAND xếp theo chiều ngang. Công nghệ mới này sẽ giải quyết bài toán “nghẽn cổ chai” băng thông dữ liệu, cải thiện đáng kể tốc độ truy xuất dữ liệu của SSD trong khi mức tiêu thụ điện năng chỉ bằng khoảng 80% so với flash NAND MLC (multi level cell) truyền thống.

SSD 850 Pro hỗ trợ giao tiếp SATA 3.0 băng thông 6 Gb/giây, chip điều khiển (controller) Samsung MEX cùng firmware do chính hãng phát triển nhằm tối ưu cho chip nhớ Vertical-NAND 3D. Theo thông tin nhà sản xuất cho biết SSD 850 Pro có tốc độ đọc và ghi dữ liệu tuần tự cao nhất đạt mức 550 MB/giây và 520 MB/giây. Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên là 100.000/90.000 lượt dữ liệu (4Kb) vào/ra mỗi giây (IOPS).

Ngoài ra, dòng sản phẩm mới cũng được trang bị tính năng kiểm soát nhiệt năng Dynamic Thermal Guard giúp duy trì nhiệt độ ổn định khi hoạt động và ngăn chặn nguy cơ mất dữ liệu xảy ra do quá nhiệt.

SSD 850 Pro có các phiên bản dung lượng 128GB, 256GB, 512GB và 1TB. Sản phẩm sẽ sớm có mặt trên thị trường trong thời gian tới.

Bảng so sánh thông số kỹ thuật các sản phẩm dòng 850 Pro