Galaxy S6 Edge Plus: Trang bị RAM 4GB và chip Exynos 7420

(PCWorldVN) Mẫu smartphone tiếp nối của chiếc Galaxy S6 Edge được tường thuật vẫn sở hữu chip SoC Exynos 7420, nhưng bộ nhớ RAM được tăng lên mức 4GB.

• Galaxy Note 5 và S6 Edge Plus đồng loạt lộ cấu hình
• Samsung Galaxy Note 5 không ra mắt vào tháng 7/2015
• Thêm ‘bằng chứng’ cho thấy Samsung Galaxy Note 5 dùng Exynos 7422
• Phủ đầu iPhone 6S, Samsung sẽ ra mắt Galaxy Note 5 từ giữa tháng 8/2015

Vài ngày sau khi đăng tải kết quả thử nghiệm hiệu năng của chiếc Galaxy Note 5, trang Geekbench vừa tiếp tục hé lộ thông tin về cấu hình của sản phẩm Galaxy S6 Edge Plus vốn cũng được tin là sẽ ra mắt vào ngày 13/8 sắp tới.

Mang mã hiệu SM-928F, chiếc Galaxy S6 Edge Plus được mô tả trang bị bộ xử lý 8 nhân Exynos 7420 (xung nhịp 1,5GHz) tựa như bộ đôi smartphone cao cấp S6 và S6 Edge, kèm theo đó là RAM ở mức 4GB.

Hình ảnh được cho là chiếc Galaxy S6 Edge Plus.

Thông tin trước đó cho hay, bộ đôi Galaxy S6 Edge Plus và Galaxy Note 5 sẽ là hai dòng smartphone đầu tiên của Samsung sở hữu chủng loại bộ nhớ DDR4 hiệu năng cao, kèm theo đó hệ điều hành cài sẵn Android 5.1.1 Lollipop.

Theo giới phân tích, mặc dù Galaxy S6 Edge Plus vẫn sử dụng bộ xử lý "cây nhà lá vườn" Exynos 7420 tương tự trên Galaxy S6 và S6 Edge, tuy nhiên đây là phiên bản rev mới nên chắc chắn xung nhịp và hiệu năng sẽ có cải thiện chút ít khác với những lời đồn đoán ban đầu là máy sẽ trang bị bộ xử lý Qualcomm Snapdragon 808.