(PCWorldVN) Trang Geekbench vừa đăng tải một bảng kết quả benchmark cho thấy chiếc Galaxy Note 5 mà Samsung sắp ra mắt được trang bị RAM 4GB, bộ xử lý 8 nhân 1,5GHz và chạy Android 5.1.1.
Không lâu sau khi hình ảnh rò rỉ được trang MobileFun (Anh) quả quyết là bộ đôi Galaxy S6 Edge Plus và Galaxy Note 5 lan truyền với tốc độ chóng mặt trên các diễn đàn mạng, giới công nghệ tiếp tục đón nhận thêm một thông tin mới về mẫu phablet tiếp nối của Samsung.
Theo đó, kết quả thử nghiệm (benchmark) của trang Geekbench cho thấy một sản phẩm mới của Samsung mang mã hiệu SM-N920V được trang bị 'bo mạch Exynos 7420" và RAM 4GB.
Trang GSMArena dự báo, RAM trên Note 5 sẽ là dòng DDR4 tốc độ cao.
Galaxy Note 5 được tường thuật sẽ trang bị RAM DDR4 dung lượng 4GB nhằm hỗ trợ hiệu năng xử lý ở mức cao. |
Giới thạo tin cho hay, SM-N920V chính là mẫu Galaxy Note 5 mà hãng điện tử Hàn Quốc có kế hoạch trình làng vào ngày 12/8 tới.
Kết quả benchmark mà Geekbench dù không nói rõ bộ xử lý Note 5 sẽ trang bị, nhưng giá trị "universal7420" được liệt kệ ở đặc tả bo mạch chủ (motherboard) đã phần nào cho thấy mẫu phablet thế hệ tiếp nối sẽ sử dụng chung bộ xử lý Exynos 7420 với bộ đôi smartphone cao cấp nhất hiện nay của Samsung là Galaxy S6 và S6 Edge.
Như PC World Vietnam từng đưa tin, Galaxy Note 5 từng được đồn thổi sẽ được Samsung trang bị màn hình phẳng 5,67 inch, bộ xử lý Exynos 7422 vốn được cho là có khả năng kết hợp bộ xử lý 8 nhân, GPU, RAM, bộ nhớ lưu trữ và modem LTE vào một “gói” duy nhất và kèm theo đó là sự trợ lực từ bộ nhớ RAM 3GB.
Ngoài ra, Galaxy Note 5 cũng được kỳ vọng sẽ sở hữu camera sau 13MP hỗ trợ chống rung quang học, camera selfie kế thừa từ mẫu Galaxy S6, cổng USB Type-C và đi kèm bút cảm ứng S-Pen.
Hiện tại còn có thông tin cho rằng, màn hình trên Note 5 sẽ ở mức 5,89 inch, cũng như có thêm phiên bản với màn hình có 2 cạnh vát cong tựa như người anh em Galaxy S6 Edge.
Galaxy Note 5, Galaxy S6 Edge Plus, iPhone 6S, iPhone 6S Plus, Samsung